惠峰，1963年出生。1984年8月畢業(yè)于西安交通大學(xué)電子工程系。中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員。中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所學(xué)術(shù)委員會(huì)委員。SEMI中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)委會(huì)材料分會(huì)委員。中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)委員。
自大學(xué)畢業(yè)一直從事研制電路需要的高質(zhì)量砷化鎵、磷化銦及鍺單晶工作。做為重大項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，帶領(lǐng)課題組先后完成了國(guó)家“七.五”、“八.五”、“九.五”重點(diǎn)科技攻關(guān)、“十.五”國(guó)家八六三計(jì)劃重大項(xiàng)目，北京市重大科技項(xiàng)目等10多項(xiàng)科研和產(chǎn)業(yè)化任務(wù)。解決了晶體生長(zhǎng)中熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、提高單晶率；優(yōu)化晶體生長(zhǎng)和晶片加工工藝條件及批量生長(zhǎng)的重復(fù)性等一系列關(guān)鍵工藝技術(shù)，多次獲得中科院科技進(jìn)步二、三等獎(jiǎng)；實(shí)用化生產(chǎn)高質(zhì)量的砷化鎵、磷化銦及鍺單晶，達(dá)到當(dāng)代同類商品先進(jìn)水平。
1990年5月“IC用SI-GaAs熱穩(wěn)定性和均勻性的研究”獲中國(guó)科學(xué)院科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)。1993年12月獲中國(guó)科學(xué)院優(yōu)秀青年。1996年5月，“Φ2″、Φ3″非摻砷化鎵單晶(片)的研究”獲中國(guó)科學(xué)院科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。1997年5月，“砷化鎵材料、器件與電路”獲中國(guó)科學(xué)院科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。2000年獲得國(guó)務(wù)院頒發(fā)的政府特殊津貼。
惠峰專家工作站，建在云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司?；莘逖芯繂T多年主持開展了多項(xiàng)國(guó)家重大項(xiàng)目并建成擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、具有先進(jìn)水平的砷化鎵單晶產(chǎn)業(yè)化平臺(tái)，掌握了半導(dǎo)體單晶產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)。主持高效率太陽能電池用鍺單晶及晶片研究，掌握了多項(xiàng)核心技術(shù)，研制出3英寸、4英寸低位錯(cuò)密度太陽能電池用鍺單晶。建站后將開展“高效率太陽電池用鍺單晶及晶片”項(xiàng)目，對(duì)于我國(guó)航空航天工業(yè)、電子產(chǎn)業(yè)等具有重要意義。
惠峰專家工作站突破了高效率太陽能電池用鍺單晶及開盒即用鍺晶片生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，掌握了單晶爐設(shè)計(jì)制造及單晶生長(zhǎng)工藝、開盒即用鍺晶片切磨拋關(guān)鍵工藝等核心技術(shù)，建成了年產(chǎn)30萬片開盒即用鍺晶片加工生產(chǎn)線，達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。解決了晶體生長(zhǎng)中熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、提高單晶率、優(yōu)化晶體生長(zhǎng)和晶片加工工藝條件及批量生長(zhǎng)的重復(fù)性等一系列關(guān)鍵工藝技術(shù)，實(shí)用化生產(chǎn)高質(zhì)量的太陽能鍺單晶。
滇公網(wǎng)安備 53019002000263號(hào)
